一些網(wǎng)友詢問國美小編“金士頓筆記本內(nèi)存2GB DDR3 CL值是多少?”,所以國美小編總結(jié)了有關(guān)金士頓筆記本內(nèi)存CL值的相關(guān)知識,現(xiàn)在和大家一起分享。
這條內(nèi)存的默認CL值是9,改變這個數(shù)值只是改變了在主板CMOS里面存儲的信息,不實際對內(nèi)存進行的修改,并且這種修改如果失敗了的話最多是無法開機等情況,是不會對內(nèi)存本身造成任何的損壞了,只有修改電壓才有可能對內(nèi)存造成損壞。
CL延遲的簡單詮釋
CL反應(yīng)時間是衡定內(nèi)存的另一個標志。CL是CAS Latency的縮寫,指的是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時間,簡單的說,就是內(nèi)存接到CPU的指令后的反應(yīng)速度。一般的參數(shù)值是2和3兩種。數(shù)字越小,代表反應(yīng)所需的時間越短。在早期的PC133內(nèi)存標準中,這個數(shù)值規(guī)定為3,而在Intel重新制訂的新規(guī)范中,強制要求CL的反應(yīng)時間必須為2,這樣在一定程度上,對于內(nèi)存廠商的芯片及PCB的組裝工藝要求相對較高,同時也保證了更優(yōu)秀的品質(zhì)。因此在選購品牌內(nèi)存時,這是一個不可不察的因素。
還有另的詮釋:內(nèi)存延遲基本上可以解釋成是系統(tǒng)進入數(shù)據(jù)進行存取操作就緒狀態(tài)前等待內(nèi)存響應(yīng)的時間。
打個形象的比喻,就像你在餐館里用餐的過程一樣。你首先要點菜,然后就等待服務(wù)員給你上菜。同樣的道理,內(nèi)存延遲時間設(shè)置的越短,電腦從內(nèi)存中讀取數(shù)據(jù)的速度也就越快,進而電腦其他的性能也就越高。這條規(guī)則雙雙適用于基于英特爾以及AMD處理器的系統(tǒng)中。由于沒有比2-2-2-5更低的延遲,因此國際內(nèi)存標準組織認為以現(xiàn)在的動態(tài)內(nèi)存技術(shù)還無法實現(xiàn)0或者1的延遲。
通常情況下,我們用4個連著的阿拉伯?dāng)?shù)字來表示一個內(nèi)存延遲,例如2-2-2-5。其中,第一個數(shù)字最為重要,它表示的是CAS Latency,也就是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時間。第二個數(shù)字表示的是RAS-CAS延遲,接下來的兩個數(shù)字分別表示的是RAS預(yù)充電時間和Act-to-Precharge延遲。而第四個數(shù)字一般而言是它們中間最大的一個。
(答案編輯:小照)
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